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复合衬底及其制备方法、半导体器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201611260201.0
  • IPC分类号:H01L21/762;H01L27/12
  • 申请日期:
    2016-12-30
  • 申请人:
    苏州爱彼光电材料有限公司
著录项信息
专利名称复合衬底及其制备方法、半导体器件
申请号CN201611260201.0申请日期2016-12-30
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2017-05-31公开/公告号CN106783726A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人苏州爱彼光电材料有限公司申请人地址
江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州爱彼光电材料有限公司当前权利人苏州爱彼光电材料有限公司
发明人林岳明
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人唐清凯
摘要
本发明涉及一种复合衬底的制作方法,包括以下步骤:在硅晶片生长氮化镓层;将所述氮化镓层与蓝宝石片键合,形成键合体;将所述硅晶片从所述氮化镓层上剥离。上述复合衬底由在硅晶片上生长氮化镓层。并使氮化镓层与蓝宝石片相键合,最后使硅晶片从氮化镓层上剥离,这样相比较于传统的直接在蓝宝石片上生长氮化镓层时间短,提高了复合衬底的生产效率。

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