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半导体装置及其制造方法以及电子装置及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410032899.1
  • IPC分类号:H01L23/00G02F1/1345
  • 申请日期:
    2004-04-14
  • 申请人:
    精工爱普生株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置及其制造方法以及电子装置及其制造方法
申请号CN200410032899.1申请日期2004-04-14
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2004-10-27公开/公告号CN1540421
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/00IPC分类号H01L23/00;G02F1/1345查看分类表>
申请人精工爱普生株式会社申请人地址
日*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人精工爱普生株式会社当前权利人精工爱普生株式会社
发明人桥元伸晃
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人李香兰
摘要
一种半导体装置,具有:在内部形成有集成电路的半导体基板、形成于半导体基板上并具有第1面和比第1面更高的第2面的绝缘层、与半导体基板的内部电连接并避开第2面而形成的第1电极、和与半导体基板的内部电连接并形成于第2面上的第2电极。

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