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制备稀磁半导体Ga1－xMnxSb单晶的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410098932.0
IPC分类号：C30B31/22;C30B29/42
申请日期：
2004-12-16
申请人：
中国科学院半导体研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制备稀磁半导体Ga1－xMnxSb单晶的方法
申请号	CN200410098932.0	申请日期	2004-12-16
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-06-21	公开/公告号	CN1789501
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B31/22 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B31/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置〔3，5〕 C30B31/20 电磁波辐照或粒子辐射法掺杂〔3〕 C30B31/22 离子注入法〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;1;/;2;2;;;C;3;0;B;2;9;/;4;2查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	陈晨龙;陈诺夫;吴金良
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	陈桢

摘要

一种制备稀磁半导体Ga1－xMnxSb单晶的方法，其特征在于，步骤如下：以半导体材料GaSb为衬底；以高能Mn离子注入到该衬底上形成磁性半导体Ga1－xMnxSb单晶。本发明的优点是外延层化学稳定性高，设备简单，生长费用低。用高能离子注入法制备的稀磁半导体Ga1－xMnxSb单晶可望应用于新型磁电、磁光和光电器件上。

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