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N-LDMOS的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210114134.7
  • IPC分类号:H01L21/336
  • 申请日期:
    2012-04-17
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称N-LDMOS的制造方法
申请号CN201210114134.7申请日期2012-04-17
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-08-01公开/公告号CN102623355A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人葛洪涛;黄晓橹
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人陆花
摘要
本发明公开了一种N-LDMOS的制造方法,包括:提供衬底,在所述衬底上形成深N阱;在所述深N阱中形成隔离结构;在所述深N阱的漏极区域形成N阱,在所述深N阱的源极区域形成P阱;在所述深N阱上形成栅极;进行源漏轻掺杂工艺,在所述P阱和N阱内分别形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区;在所述栅极的侧壁形成栅极侧墙;进行源漏重掺杂以及退火工艺。本发明在漏极采用深N阱和N阱取代传统N-LDMOS中漂移区的光罩,而在源极采用深N阱中的P阱取代了传统体区中的光罩,在制程中减少了两个光罩,在满足器件耐压的前提下有效降低了LDMOS器件的制造成本。

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