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超临界水中碳纳米管上沉积二氧化铈的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610046313.6
  • IPC分类号:C23C18/12C23C18/04
  • 申请日期:
    2006-04-14
  • 申请人:
    中国科学院金属研究所
著录项信息
专利名称超临界水中碳纳米管上沉积二氧化铈的制备方法
申请号CN200610046313.6申请日期2006-04-14
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-10-17公开/公告号CN101054662
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C18/12IPC分类号C23C18/12;C23C18/04查看分类表>
申请人中国科学院金属研究所申请人地址
辽宁省沈阳市沈河区文化路*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院金属研究所当前权利人中国科学院金属研究所
发明人赵丹;吴欣强;关辉;韩恩厚
代理机构沈阳科苑专利商标代理有限公司代理人张志伟
摘要
本发明涉及纳米材料制备和超临界水技术领域,具体为超临界水中碳纳米管上沉积二氧化铈的制备方法。制备过程:首先将碳纳米管在硝酸中纯化处理;然后将Ce(NO3)3·6H2O和经硝酸处理的碳纳米管溶于去离子水中,搅拌;调节混合液pH=8~10;将混合溶液倒入超临界水反应设备,在搅拌下加热到375~450℃,反应0.5~6h;反应结束后,冷却、过滤,用去离子水冲洗、烘干,即可得到分散性好,平均颗粒尺寸为5nm的碳纳米管上沉积二氧化铈颗粒。本制备方法对环境污染小,工艺简单,制备出的沉积在碳纳米管上的二氧化铈颗粒在催化剂和功能材料等行业有广泛的应用前景。

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