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发光二极管

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610033596.0
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2006-02-15
  • 申请人:
    深圳市量子光电子有限公司
著录项信息
专利名称发光二极管
申请号CN200610033596.0申请日期2006-02-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-08-22公开/公告号CN101022145
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人深圳市量子光电子有限公司申请人地址
广东省深圳市福田区泰然工贸园206栋东座6楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市量子光电子有限公司当前权利人深圳市量子光电子有限公司
发明人刘镇;裴小明
代理机构深圳中一专利商标事务所代理人朱巍
摘要
本发明提供一种发光二极管,包括热沉、一个发光二极管芯片、荧光粉层及环氧树脂层或透镜,其中,该发光二极管芯片与荧光粉层间还设有第一硅胶层,该第一硅胶层的折射率大于荧光粉层的折射率,该第一硅胶层的折射率为1.4~1.6,该荧光粉层的折射率为1.4~1.5。由于本发明的发光二极管芯片与荧光粉层间设有第一硅胶层,将折射率相对较为接近的几种物质按一定的顺位进行分布,即在晶片表面涂覆硅胶、再涂覆一层荧光粉,然后用环氧树脂或透镜进行封装。通过这样的封装一方面可缩小两种相邻物质的折射率差异,相对于传统的制作工艺,其出光效率可提高30%以上;另一方面硅胶可以产生更多的漫射,使激发荧光粉的效果更佳,光色更均匀。

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