一种高强高导电抗疲劳耐腐蚀石墨烯复合薄膜的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810398239.7
IPC分类号：C01B32/184;C01B32/194
申请日期：
2018-04-28
申请人：
北京航空航天大学

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专利名称	一种高强高导电抗疲劳耐腐蚀石墨烯复合薄膜的制备方法
申请号	CN201810398239.7	申请日期	2018-04-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-09	公开/公告号	CN108622884A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B32/184 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991） C01B32/15 纳米级碳材料〔2017.01〕 C01B32/182 石墨烯〔2017.01〕 C01B32/184 制备〔2017.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;2;/;1;8;4;;;C;0;1;B;3;2;/;1;9;4查看分类表>
申请人	北京航空航天大学	申请人地址	北京市海淀区学院路37号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京航空航天大学	当前权利人	北京航空航天大学
发明人	程群峰;万思杰;江雷
代理机构	北京科迪生专利代理有限责任公司	代理人	安丽

摘要

本发明涉及一种高强高导电抗疲劳耐腐蚀石墨烯复合薄膜的制备方法，首先将氧化石墨烯和氯化铬的混合液，经真空抽滤制得自支撑的离子交联的氧化石墨烯复合薄膜，然后将其浸泡于氢碘酸溶液中进行化学还原，得到离子交联的石墨烯复合薄膜，最后将薄膜浸泡在1‑芘丁酸N‑羟基琥珀酰亚胺酯(PSE)和1‑氨基芘(AP)溶液中，制得离子键和π键有序交联的石墨烯(SBG)复合薄膜，获得的SBG薄膜的最高拉伸强度为821MPa，相应的韧性为20MJ/m3，电导率为416S/cm。此外，该优化的SBG薄膜具有超高的抗疲劳性能、优异的电磁屏蔽效能以及超强的耐腐蚀性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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