一种薄膜厚度测量方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110026520.X
IPC分类号：G01B11/06
申请日期：
2021-01-08
申请人：
上海精测半导体技术有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种薄膜厚度测量方法
申请号	CN202110026520.X	申请日期	2021-01-08
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-06-01	公开/公告号	CN112880574A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01B11/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01B 长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量 G01B11/00 以采用光学方法为特征的计量设备（G01B 9/00组中包括的各式仪器本身入G01B 9/00）〔2〕 G01B11/02 用于计量长度、宽度或厚度（G01B 11/08优先） G01B11/06 用于计量厚度	IPC分类号	G;0;1;B;1;1;/;0;6查看分类表>
申请人	上海精测半导体技术有限公司	申请人地址	上海市青浦区徐泾镇双浜路269、299号1幢1、3层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海精测半导体技术有限公司	当前权利人	上海精测半导体技术有限公司
发明人	马骏;李江辉;石雅婷;张传维;李伟奇;郭春付
代理机构	武汉蓝宝石专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	刘璐

摘要

本发明提供一种薄膜厚度测量方法，包括：选取样品薄膜的多个数据点，利用椭偏仪测量得到样品薄膜的每一个数据点对应的椭偏参数；根据菲涅尔反射定律得到样品薄膜的厚度初值和椭偏参数之间的关系式；根据样品薄膜的厚度初值和椭偏参数之间的关系式，计算样品薄膜的每一个数据点对应的第一厚度初值；根据样品薄膜的多个数据点对应的多个第一厚度初值，确定样品薄膜的最终厚度初值。本发明克服了现有技术中计算量大，薄膜较薄时难以求解，以及波长范围较短时无法求解等情况，通过数个数据点的计算即可得到样品薄膜准确的厚度初值。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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