成膜方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200680017839.X
IPC分类号：H01L21/285;H01L21/768;H01L21/8242;H01L27/108;H01L21/28;C23C16/34;C23C16/52
申请日期：
2006-05-18
申请人：
东京毅力科创株式会社

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	成膜方法
申请号	CN200680017839.X	申请日期	2006-05-18
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2008-08-27	公开/公告号	CN101253603
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/285 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕 H01L21/283 用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积〔2〕 H01L21/285 气体或蒸气的沉积，例如冷凝〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;5;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;C;2;3;C;1;6;/;3;4;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本国东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	长谷川敏夫
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	龙淳

摘要

本发明的成膜方法包括：第一阶段，该第一阶段包括向被加热至成膜温度的被处理基板供给金属化合物气体和含氮还原气体，通过CVD使金属氮化膜直接堆积在被处理基板上的期间；和第二阶段，该第二阶段同样地供给金属化合物气体和含氮还原气体，通过CVD在上述第一阶段堆积的初期的金属氮化膜上进一步堆积金属氮化膜，使其达到规定的膜厚，其中，上述第一阶段和上述第二阶段都将由供给上述金属化合物气体和含氮还原气体的第一步骤和停止上述金属化合物气体而供给上述含氮还原气体的第二步骤构成的循环反复进行一个循环以上。

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