一种二极管的封装方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010142227.5
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/52;H01L21/67
申请日期：
2020-03-04
申请人：
孙文

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引证文献

著录项信息

专利名称	一种二极管的封装方法
申请号	CN202010142227.5	申请日期	2020-03-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-19	公开/公告号	CN111312883A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	孙文	申请人地址	安徽省淮南市田家庵区洞山西路淮南联合大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	孙文	当前权利人	孙文
发明人	孙文;吴宇祥
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明属于二极管生产技术领域，具体的说是一种二极管的封装方法，本方法中使用的烘烤装置包括底板，所述底板顶端固定有烘烤炉、托架和固定架，所述烘烤炉朝向固定架的一侧设有圆形槽，所述固定架顶端固定有推杆电机，所述推杆电机的输出轴端固定有密封盘，所述密封盘与圆形槽为间隙配合，所述密封盘远离推杆电机的一侧转动安装有两个以上的放置管，所述圆形槽内固定有伸缩杆，所述伸缩杆的自由端固定在密封盘上，所述烘烤炉远离推杆电机的一端固定有驱动电机；本发明通过转动的密封盘带动放置管沿着密封盘的轴心转动，使得放置管内放置的发光二极管不断的变换位置，从而使得发光二极管吸收的热量均匀。

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