一种二维沟槽型高压SOI-LIGBT结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202022977172.8
IPC分类号：H01L23/13;H01L23/29;H01L29/06;H01L29/739
申请日期：
2020-12-11
申请人：
张家港意发功率半导体有限公司

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专利名称	一种二维沟槽型高压SOI-LIGBT结构
申请号	CN202022977172.8	申请日期	2020-12-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/13 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/12 安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底〔2〕 H01L23/13 按形状特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;1;3;;;H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9查看分类表>
申请人	张家港意发功率半导体有限公司	申请人地址	江苏省苏州市张家港经济开发区(国泰北路1号留学生创业园) 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	张家港意发功率半导体有限公司	当前权利人	张家港意发功率半导体有限公司
发明人	周炳;赵承杰;王源政
代理机构	苏州国诚专利代理有限公司	代理人	王丽

摘要

本实用新型公开了一种二维沟槽型高压SOI‑LIGBT结构，包括衬底衬底的上端设有结构本体，结构本体的下端开设有凹槽，衬底的上端齿牙，齿牙的外侧插接于凹槽内，衬底的外壁设有弹性层，弹性层的外侧设有防腐层，防腐层的外侧设有耐磨层。该结构设有多个防护层可以对SOI‑LIGBT结构进行充分的保护；通过齿牙插入到凹槽中，在采用粘胶进行固定，使得衬底与结构本体之间的连接较为紧密。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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