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一种半导体鳍式场效应晶体管结构及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110177234.3
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2021-02-07
  • 申请人:
    泉芯集成电路制造(济南)有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体鳍式场效应晶体管结构及其制备方法
申请号CN202110177234.3申请日期2021-02-07
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-06-11公开/公告号CN112951920A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人泉芯集成电路制造(济南)有限公司申请人地址
山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人泉芯集成电路制造(济南)有限公司当前权利人泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人陈尚志
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆宗力
摘要
本申请公开了一种半导体鳍式场效应晶体管结构及其制备方法,其中,所述半导体鳍式场效应晶体管结构的衬底中设计有至少两类防穿通注入,不同类的所述防穿通注入深入所述衬底的深度和/或掺杂浓度不同,可以兼顾不同器件或区域对于载流子迁移率和抗漏电能力的需求,避免同一深度或掺杂浓度的防穿通注入无法兼顾载流子迁移率和抗漏电能力需求的情况,实现合理设计半导体鳍式场效应晶体管结构中的防穿通注入、兼顾载流子迁移率和抗漏电能力需求的目的。

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