单片集成边发射激光器及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110639802.7
IPC分类号：H01S5/065;H01S5/20;H01S5/34
申请日期：
2021-06-08
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	单片集成边发射激光器及制备方法
申请号	CN202110639802.7	申请日期	2021-06-08
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-10	公开/公告号	CN113381294A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/065 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/06 控制激光器输出参数的装置，例如控制激活介质〔7〕 H01S5/065 模式锁定；模式抑制；模式选择〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;6;5;;;H;0;1;S;5;/;2;0;;;H;0;1;S;5;/;3;4查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	刘安金;张靖
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	暂无

摘要

一种单片集成边发射激光器及制备方法，其单片集成边发射激光器包括衬底；多层结构，为由多对半导体材料层生长于所述衬底上的周期或准周期结构，每对所述半导体材料层沿垂直于所述衬底的方向依次包括低折射率材料层和第一高折射率材料层，每层所述半导体材料层的厚度不小于λ/5n，其中，λ为所述单片集成边发射激光器的工作波长，n为每层所述半导体材料层的折射率；第二高折射率材料层，形成于所述多层结构中最后生长的低折射率材料层上，所述第二高折射率材料层的折射率高于第一高折射率材料层和低折射率材料层；有源层，位于所述第二高折射率材料层中，所述有源层的厚度小于第二高折射率材料层的厚度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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