光发射器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201210163885.8
IPC分类号：H05B33/08;H01L27/32
申请日期：
2005-09-05
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	光发射器件
申请号	CN201210163885.8	申请日期	2005-09-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-10	公开/公告号	CN102724779A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05B33/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05B 电热；其他类目不包含的电照明 H05B33/00 电致发光光源〔1，8〕 H05B33/02 零部件 H05B33/08 并非适用于一种特殊应用的电路装置	IPC分类号	H;0;5;B;3;3;/;0;8;;;H;0;1;L;2;7;/;3;2查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	野村亮二
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	秦晨

摘要

本发明涉及光发射器件。本发明的一个目的在于提供较少受光发射元件中引起的故障的影响的光发射器件。发明的另一个目的在于提供将光发射元件串联的光发射器件。关于发明的光发射器件，将每个具有光发射元件和限制器的电路群并联。在这里，将光发射元件和限制器串联。电路的数目可以是至少两个或更多。此外，每个电路群包括至少一个光发射元件。

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