一种使用加强自旋霍尔效应的磁性随机存储器

发明专利有效专利

申请号：
CN201810055467.4
IPC分类号：G11C11/16H01L43/08H01L43/06H01L27/22
申请日期：
2018-01-19
申请人：
上海磁宇信息科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种使用加强自旋霍尔效应的磁性随机存储器
申请号	CN201810055467.4	申请日期	2018-01-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-07-24	公开/公告号	CN108320768A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/16 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/16 应用磁自旋效应的存储元件的	IPC分类号	G11C11/16;H01L43/08;H01L43/06;H01L27/22查看分类表>
申请人	上海磁宇信息科技有限公司	申请人地址	上海市嘉定区城北路235号二号*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海磁宇信息科技有限公司	当前权利人	上海磁宇信息科技有限公司
发明人	郭一民;戴瑾
代理机构	上海容慧专利代理事务所（普通合伙）	代理人	于晓菁

摘要

本发明公开了一种使用加强自旋霍尔效应的磁性随机存储器，包括：磁性隧道结、自旋霍尔效应层、自旋霍尔效应加强层、读写电路。自旋霍尔效应层位于磁性隧道结和自旋霍尔效应加强层之间，磁性隧道结由参考层、隧道势垒层、记忆层组成，参考层和记忆层的磁化方向在面内，记忆层紧邻自旋霍尔效应层。自旋霍尔效应层采用过渡族金属层，过渡族金属层选自铂、金、银、钽、钨、钯、铪、铱、锇、铼之中的一种。自旋霍尔效应加强层采用软磁材料层。读写通过不同的电流，不用担心读造成不稳定。软磁材料加强了自旋霍尔效应，使得可以利用很小的电流完成写操作。

喷附仪

实用新型

一种使用加强自旋霍尔效应的磁性随机存储器

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