带有无铝限制层的埋脊半导体激光器

发明专利无效专利

申请号：
CN00808789.X
IPC分类号：--
申请日期：
2000-05-16
申请人：
康宁股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	带有无铝限制层的埋脊半导体激光器
申请号	CN00808789.X	申请日期	2000-05-16
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2002-06-26	公开/公告号	CN1355949
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	康宁股份有限公司	申请人地址	美国纽约州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	康宁股份有限公司	当前权利人	康宁股份有限公司
发明人	扎哈·冯恩
代理机构	上海专利商标事务所	代理人	钱慰民

摘要

埋脊半导体二极管激光器最好基于GaAs和AlGaAs族的材料。较薄的上包层被无铝蚀刻截止层和无铝限制层覆盖,较佳的为GaInP,为相对于上包层的反向电导型。在限制层中形成沟槽,延伸至蚀刻截止层。在孔中再次形成额外的AlGaAs,以形成埋脊。在再次形成期间,在底部和孔的两边上都没有铝暴露。限制层最好是符合AlGaAs的点阵。较薄的蚀刻截止层最好具有与夹住它的AlGaAs相同的电导型和相同的带隙。对于产生较短波长辐射的激光器,要增加AlGaAs包层的铝含量,并将一些铝加入限制层,但是少于包层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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