用于大马士革工艺的光刻掩膜板

发明专利无效专利

申请号：
CN200710093951.8
IPC分类号：G03F1/14;G03F1/00
申请日期：
2007-07-17
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	用于大马士革工艺的光刻掩膜板
申请号	CN200710093951.8	申请日期	2007-07-17
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-01-21	公开/公告号	CN101349860
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/14 （转入G03F 1/00-G03F 1/86）	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;1;4;;;G;0;3;F;1;/;0;0查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹NEC电子有限公司	当前权利人	上海华虹NEC电子有限公司
发明人	何伟明;张斌;魏芳
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种用于大马士革工艺的光刻掩膜板，其分三个区域：用于通孔图形复制的区域；无刻蚀图形的区域；介于上述两个区域之间用于沟槽图形复制的区域，该区域的透光率介于所述通孔图形复制区域的透光率和所述无刻蚀图形区域的透光率之间。在具体操作时采用不同曝光能量分别进行通孔和沟槽的刻蚀实现一块掩膜板，两次光刻的目的，节约制造成本，可广泛应用于采用大马士革工艺进行半导体器件制备的生产线中。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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