半导体激光器及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN95107295.1
IPC分类号：--
申请日期：
1995-07-18
申请人：
夏普公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体激光器及其制造方法
申请号	CN95107295.1	申请日期	1995-07-18
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1996-02-28	公开/公告号	CN1117657
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	夏普公司	申请人地址	日本大阪市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普公司	当前权利人	夏普公司
发明人	森本泰司;柴田善吉;石住隆司;宫嵜启介;幡俊雄;大柜义德
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	吴增勇;萧掬昌

摘要

具有高性能，低工作电压，和长使用寿命的半导体激光器及其制造方法。在衬底(2)上层叠有包含有于激光振荡的激活层(5)的半导体多层膜(8)。然后通过LPE生长工艺生长由掺P型杂质Mg的P型AlGaAs组成的包层(9)和由也掺Mg的P型GaAs组成的接触层(10)，接着去除接触层(10)中呈现高阻和低载流子密度的那部分表面层。所述激活层(5)被安置在从其发出激光束的那个端面的大致中部。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供