一种LED器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211164374.8
IPC分类号：H01L33/62;H01L33/50;H01L33/44;H01L33/64;H01L33/00
申请日期：
2022-09-23
申请人：
宁波升谱光电股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种LED器件及其制备方法
申请号	CN202211164374.8	申请日期	2022-09-23
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-12-06	公开/公告号	CN115440875A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/62 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/62 向该半导体导入或自该半导体导出电流的装置，例如引线框架、焊线或焊球〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;5;0;;;H;0;1;L;3;3;/;4;4;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	宁波升谱光电股份有限公司	申请人地址	浙江省宁波市高新区新晖路150号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宁波升谱光电股份有限公司	当前权利人	宁波升谱光电股份有限公司
发明人	杜元宝;张耀华;王国君;陈复生;朱小清;张庆豪
代理机构	北京信远达知识产权代理有限公司	代理人	李兆轩

摘要

本发明公开了一种LED器件及其制备方法，应用于LED技术领域，包括基板；位于基板一侧表面的LED芯片；LED芯片与基板电连接；位于LED芯片背向基板一侧表面的荧光片；荧光片与LED芯片之间通过第一共晶层共晶连接。通过将LED芯片与基板电连接，通过第一共晶层在LED芯片表面固定连接荧光片，可以减少LED器件中有机材料硅胶的使用，同时共晶层具有良好的导热性能，从而可以使得LED器件具有较高的功率密度以及可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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