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一种采用高压耗尽NMOS管结构的高压转低压电源电路

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010549830.1
  • IPC分类号:G05F1/56
  • 申请日期:
    2010-11-19
  • 申请人:
    无锡芯朋微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种采用高压耗尽NMOS管结构的高压转低压电源电路
申请号CN201010549830.1申请日期2010-11-19
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-05-23公开/公告号CN102467145A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G05F1/56IPC分类号G;0;5;F;1;/;5;6查看分类表>
申请人无锡芯朋微电子有限公司申请人地址
江苏省无锡市新区长江路21-1号创源大厦8楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡芯朋微电子有限公司当前权利人无锡芯朋微电子有限公司
发明人张立新;邹宇彤;陈健;易扬波;周飙;李海松;张韬;胡旅顺
代理机构南京经纬专利商标代理有限公司代理人楼高潮
摘要
本发明公开了一种采用高压耗尽NMOS管结构的高压转低压电源电路,包括低压稳压电路,其特征是还包括高压耗尽管,所述高压耗尽NMOS管的漏端接高压电源电压,栅端接一固定电位,源端为高压电源转化为低压电源输出。所述低压稳压电路由运算放大器U1,第一比例电阻R1,第二比例电阻R2,PMOS调整管P1组成。由于本发明高压电源转低压电源电路直接采用高压耗尽管来做降压器件,相对于采用JFET的方案,从器件特性来说相同面积的高压耗尽管的流电流能力远远大于JFET器件,所以集成在电路内部时所占芯片面积小。而且由于本发明不需要任何外接元件,电路结构简单可靠,可以很方便的集成到各种高压模拟集成电路中。

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