一种对过渡金属硫化物进行光学简并掺杂的方法及其应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201810117999.6
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/032;H01L31/113
申请日期：
2018-02-06
申请人：
天津大学

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专利名称	一种对过渡金属硫化物进行光学简并掺杂的方法及其应用
申请号	CN201810117999.6	申请日期	2018-02-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-08-13	公开/公告号	CN110120440A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;1;3查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	刘晶;张荣杰
代理机构	天津创智天诚知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王秀奎

摘要

本发明公开了一种对过渡金属硫化物进行光学简并掺杂的方法及其应用，通过在二维材料表面电子束蒸发沉积金纳米层，并在高温退火处理后在TMDc材料表面形成润湿性良好的金纳米薄膜。在紫外光的辐照下，金纳米层的电子由于外光电效应溢出并注入到半导体层，多余的电子对半导体形成了稳定的N型掺杂。在撤除紫外光照后，光生的富余电子仍保留在材料内，使得这种掺杂方式具有长期稳定性，同时，这种方法具有普适性，能应用于多种N型的TMDc材料。这种快速，简便，通用，稳定的掺杂新方法为二维半导体材料的研究打开了新的思路。

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