一种微米线阵列异质结紫外光探测器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910206813.9
IPC分类号：H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/18
申请日期：
2019-03-19
申请人：
华南师范大学

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著录项信息

专利名称	一种微米线阵列异质结紫外光探测器及其制备方法
申请号	CN201910206813.9	申请日期	2019-03-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-29	公开/公告号	CN111725338A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0352 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0352 以其形状或以多个半导体区域的形状、相关尺寸或配置为特征的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;9;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	华南师范大学	申请人地址	广东省广州市天河区中山大道西55号华南师范大学光电子材料与技术研究所变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南师范大学	当前权利人	华南师范大学
发明人	李述体;汪虎;罗幸君;刘青
代理机构	北京高沃律师事务所	代理人	杜阳阳

摘要

本发明公开了一种微米线阵列异质结紫外光探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域，该探测器包括主要由设定方向层叠设置的氮化镓微米线阵列和氧化镍层形成的异质p‑n结，氮化镓微米线阵列和氧化镍层上分别连接有第一电极层和第二电极层；其制备方法包括采用金属有机气相沉积工艺在图案化硅片衬底上生长氮化镓微米线阵列后，以金属材料在氮化镓微米线阵列上形成第一电极层，随后在氮化镓微米线阵列上覆设氧化镍层，最后在氧化镍层上设置第二电极层。本发明提供的微米线阵列异质结紫外光探测器具有紫外/可见光选择比高、暗电流低、响应速度快且结构简单等优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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