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一种LED制备方法、LED和芯片

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201611110161.1
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32
  • 申请日期:
    2016-12-06
  • 申请人:
    圆融光电科技股份有限公司
著录项信息
专利名称一种LED制备方法、LED和芯片
申请号CN201611110161.1申请日期2016-12-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-05-31公开/公告号CN106784179A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2查看分类表>
申请人圆融光电科技股份有限公司申请人地址
安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人圆融光电科技股份有限公司当前权利人圆融光电科技股份有限公司
发明人腾龙;霍丽艳;黄小辉;周德保;康建;梁旭东
代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司代理人杨泽;刘芳
摘要
本发明提供一种LED制备方法、LED和芯片,属于发光二极管技术领域。该方法包括:在衬底上依次生长U型氮化镓层和N型氮化镓层;在所述N型氮化镓层上依次生长M个量子阱结构,其中,所述量子阱结构包括量子阱层、盖帽层和势垒层,其中,M为大于等于10的整数;对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分离处理,其中,Q为小于等于M的整数;在所述量子阱结构上生长在所述P型氮化镓层。本发明提供的LED制备方法、LED和芯片,提高了LED亮度和波长的均匀性。

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