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一种高电子迁移率晶体管及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910085945.0
  • IPC分类号:H01L29/778;H01L29/47;H01L21/335
  • 申请日期:
    2019-01-29
  • 申请人:
    南方科技大学
著录项信息
专利名称一种高电子迁移率晶体管及其制作方法
申请号CN201910085945.0申请日期2019-01-29
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2019-05-21公开/公告号CN109786455A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/778
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5查看分类表>
申请人南方科技大学申请人地址
广东省珠海市横琴新区环岛东路3000号横琴国际商务中心901-9024室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人珠海镓未来科技有限公司当前权利人珠海镓未来科技有限公司
发明人于洪宇;曾凡明
代理机构北京品源专利代理有限公司代理人孟金喆
摘要
本发明实施例公开了一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。其中高电子迁移率晶体管包括衬底;设置于衬底一侧依次层叠的应力缓冲层和外延层;设置于外延层背离衬底一侧的源极、漏极以及p型栅极层;设置于p型栅极层背离衬底一侧依次层叠的p型表面盖层以及栅极;其中,p型表面盖层中掺杂物的掺杂浓度恒定且小于p型栅极层中掺杂物的掺杂浓度。本发明实施例的技术方案,有效提高器件的栅极开启电压、栅极耐击穿电压、栅极输入电压摆幅以及栅极输入阻抗,使得器件的稳定性和可靠性得以改善。

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