半导体装置及其制造方法发明专利
申请号：CN200480020157.5
LOC分类号:H01L29/78
IPC结构图谱：
- C化学；冶金
- C0化学
- C01无机化学
- C01F金属铍、镁、铝、钙、锶、钡、镭、钍的化合物，或稀土金属的化合物（金属氢化物入C01B 6/00；卤素的含氧酸盐入 C01B 11/00；过氧化物、过氧酸盐入 C01B 15/00；镁、钙、锶或钡的硫化物或多硫化物入 C01B 17/42；硫代硫酸盐、连二亚硫酸盐、连多硫酸盐入C01B 17/64；含硒或碲的化合物入C01B 19/00；金属与氮的二元化合物入 C01B 21/06；叠氮化物入C01B 21/08；金属氨化物入C01B 21/092；亚硝酸盐入C01B 21/50；磷化物入C01B 25/08；磷的含氧酸盐入 C01B 25/16；碳化物入C01B 32/90；含硅的化合物入 C01B 33/00；含硼的化合物入 C01B 35/00；具有分子筛特性但不具有碱交换特性的化合物入C01B 37/00；具有分子筛和碱交换特性的化合物，如结晶沸石，入C01B 39/00；氰化物入 C01C 3/08；氰酸盐入 C01C 3/14；氰氨盐入 C01C 3/16；硫氰酸盐入 C01C 3/20；发酵或使用酶的方法制备元素或二氧化碳之外的无机化合物入C12P 3/00；从混合物，如矿石，制取作为提炼游离金属的冶金工艺中间化合物的金属化合物入C22B；通过电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入 C25B）
- C01F5/00镁的化合物
- C01F5/40硫酸镁（镁与钠或钾的复式硫酸盐入C01D 5/12，其他碱金属的复式硫酸盐入C01D 15/06、C01D 17/00）〔3〕
