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半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710581314.9
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
  • 申请日期:
    2017-07-17
  • 申请人:
    丰田合成株式会社
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN201710581314.9申请日期2017-07-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-01-26公开/公告号CN107634098A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人丰田合成株式会社申请人地址
日本爱知县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人丰田合成株式会社当前权利人丰田合成株式会社
发明人黑崎润一郎;冈彻;西井润弥;伊奈务
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人蔡胜有;苏虹
摘要
本发明公开了半导体器件及其制造方法。为了抑制在具有栅极绝缘膜和栅电极的半导体器件中的电流泄漏。在沟槽的底表面、沟槽的侧表面和第二n型层的在沟槽的侧表面附近处的顶表面上经由栅极绝缘膜以膜的形式连续地形成栅电极。栅电极的底表面的端部与栅极绝缘膜的顶表面的端部对准,并且栅极绝缘膜的底表面的端部形成为与第二n型的面向栅电极的底表面的端部的表面接触。钝化膜覆盖器件的除了源电极和栅电极的接触孔之外的整个顶表面。

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