金属有机物化学气相沉积反应器

发明专利有效专利

申请号：
CN201911411224.0
IPC分类号：C23C16/455;C23C16/30;H01L33/32
申请日期：
2019-12-31
申请人：
中微半导体设备（上海）股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司

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著录项信息

专利名称	金属有机物化学气相沉积反应器
申请号	CN201911411224.0	申请日期	2019-12-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-16	公开/公告号	CN113122823A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/455 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/455 向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;3;0;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2查看分类表>
申请人	中微半导体设备（上海）股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司	申请人地址	上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司,南昌中微半导体设备有限公司	当前权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司,南昌中微半导体设备有限公司
发明人	王文;胡建正;郭泉泳;郭世平
代理机构	上海元好知识产权代理有限公司	代理人	包姝晴;张静洁

摘要

一种金属有机物化学气相沉积反应器，包括：反应腔，顶部包括气体喷淋头，气体喷淋头包括第一输入端口、第二输入端口和第三输入端口；前驱物输送管道组，与多种前驱物源连接；前驱物汇合输入管道，与前驱物输送管道组连通，用于汇合多种前驱物，连通第一输入端口；镁前驱物输入管道，与镁前驱物源连接，且连通第二输入端口；氮前驱物输送管道，与氮前驱物源连接，且连通气体喷淋头的第三输入端口。利用所述金属有机物化学气相沉积反应器能够降低反应器的复杂度，且提高发光二极管的发光强度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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