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一种二极管及瞬态电压抑制器

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201521112581.4
  • IPC分类号:H01L29/861;H01L27/02;H01L23/60
  • 申请日期:
    2015-12-28
  • 申请人:
    上海智晶半导体科技有限公司
著录项信息
专利名称一种二极管及瞬态电压抑制器
申请号CN201521112581.4申请日期2015-12-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/861
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;3;/;6;0查看分类表>
申请人上海智晶半导体科技有限公司申请人地址
上海市浦东新区盛夏路560号202室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海智晶半导体科技有限公司当前权利人上海智晶半导体科技有限公司
发明人徐芳芳
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本实用新型公开了一种二极管及瞬态电压抑制器,二极管包括芯片、上下钉头无氧铜导线、焊接层、非空腔塑封体组成,所述芯片台面周围设置有一次性涂覆电子纯聚酰亚胺胶层,所述涂覆电子纯聚酰亚胺胶层的芯片二次再涂覆有电子纯硅橡胶层;所述芯片位于上下钉头无氧铜导线之间,所述上下钉头无氧铜导线的上下钉头与芯片通过焊接层连接;所述上下钉头、焊接层、芯片模塑封装在塑封体内,所述芯片包括硅基片,其中,该硅基片包含有N型衬底和P型扩散层,N型衬底和P型扩散层之间形成PN结,所述硅基片的上表面上进一步设有沟道,沟道将硅基片上表面划分为位于芯片中间的凸台。所述瞬态电压抑制器包括上述的二极管。本实用新型可以提高切割速度。

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