坩埚测温仪辅助晶体生长装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201120355959.9
IPC分类号：C30B35/00;C30B29/20
申请日期：
2011-09-22
申请人：
上海朗兆机电设备有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	坩埚测温仪辅助晶体生长装置
申请号	CN201120355959.9	申请日期	2011-09-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B35/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B35/00 未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的一般装置〔3，5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;2;0查看分类表>
申请人	上海朗兆机电设备有限公司	申请人地址	上海市徐汇区沪闵路9450号南楼206室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海朗兆机电设备有限公司	当前权利人	上海朗兆机电设备有限公司
发明人	吕立强
代理机构	上海德昭知识产权代理有限公司	代理人	缪利明

摘要

本实用新型坩埚测温仪辅助晶体生长装置，包括：炉体，在所述炉体的上端设有上观察窗，在所述炉体的下端设有下观察窗；温场，所述温场设置在所述炉体内，所述温场的一端与所述炉体的上端壳体连接；坩埚，所述坩埚设置在所述温场内；坩埚轴，所述坩埚轴设置在所述炉体内，所述坩埚轴的一端与所述温场连接，所述坩埚轴的另外一端与所述炉体的下端壳体连接；冷却装置，所述冷却装置设置在所述炉体下端外侧；测温座，所述测温座设置在所述炉体的外侧。本实用新型坩埚测温仪辅助晶体生长装置通过采用红外测温仪将炉体内温场的温度输出给温度控制系统，并通过调整电源输出功率，调整温场的温度，保证结晶界面的稳定性和晶体的完整性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供