一种铌酸锶钡基微晶玻璃电介质材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310262140.1
IPC分类号：C03C10/02
申请日期：
2013-06-27
申请人：
桂林电子科技大学

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专利名称	一种铌酸锶钡基微晶玻璃电介质材料及其制备方法
申请号	CN201310262140.1	申请日期	2013-06-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-10-09	公开/公告号	CN103342466A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C03C10/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C03 玻璃；矿棉或渣棉 C03C 玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分；玻璃的表面处理；由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理；玻璃与玻璃或与其他材料的接合 C03C10/00 微晶玻璃陶瓷，即结晶相分散于玻璃相中，并至少为总组成的50（重量）的微晶玻璃〔4〕 C03C10/02 非二氧化硅及非硅酸盐结晶相，例如尖晶石、钛酸钡〔4〕	IPC分类号	C;0;3;C;1;0;/;0;2查看分类表>
申请人	桂林电子科技大学	申请人地址	广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	桂林电子科技大学	当前权利人	桂林电子科技大学
发明人	陈国华;宋俊;刘涛涌;袁昌来
代理机构	桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司	代理人	罗玉荣

摘要

本发明涉及一种铌酸锶钡基微晶玻璃电介质材料及其制备方法，其制备方法为：以SrCO3、BaCO3、Nb2O5、H3BO3为起始原料，按照aSrO·bBaO·cNb2O5·dB2O3摩尔比配料，经球磨混料8h后烘干，在1300℃熔化保温30min，再经快速冷却、退火得到无气孔的均匀玻璃，在一定温度下进行可控晶化得到微晶玻璃电介质材料。由该方法得到的微晶玻璃电介质的相对介电常数在21-143范围内可调，直流击穿场强最高达1300kV/cm，储能密度最高可达5.71J/cm3。

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