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超导薄膜及其制备方法、超导量子干涉器件和感应式超导边缘探测器

发明专利有效专利

申请号：
CN201710602508.2
IPC分类号：H01L39/02;H01L39/12;H01L39/24;C23C14/14;C23C14/35
申请日期：
2017-07-21
申请人：
中国计量科学研究院

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	超导薄膜及其制备方法、超导量子干涉器件和感应式超导边缘探测器
申请号	CN201710602508.2	申请日期	2017-07-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-29	公开/公告号	CN109285942A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L39/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L39/00 应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；按陶瓷形成的工艺或陶瓷组合物性质区分的超导体入C04B 35/00；超导或高导体、电缆或传输线入H01B 12/00；超导线圈或绕组入H01F；利用超导电性的放大器入H03F 19/00）〔2，4〕 H01L39/02 零部件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;9;/;0;2;;;H;0;1;L;3;9;/;1;2;;;H;0;1;L;3;9;/;2;4;;;C;2;3;C;1;4;/;1;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人	中国计量科学研究院	申请人地址	北京市朝阳区北三环东路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国计量科学研究院	当前权利人	中国计量科学研究院
发明人	钟青;王雪深;李劲劲;曹文会;钟源;王兰若
代理机构	北京华进京联知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

一种超导薄膜，所述超导薄膜的成分包括铌和硅，所述铌在超导薄膜中所占比例大于等于81.5％且小于等于97.1％，所述超导薄膜的超导转变温度处在3.85K到7.1K之间。本发明提供的超导薄膜只是通过控制铌的比例即可实现超导转变温度的改变，实现工艺简单，易于加工制备。

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