一种SRAM单元结构、SRAM存储器以及上电初始化方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110114508.4
IPC分类号：G11C5/14;G11C11/413
申请日期：
2021-01-27
申请人：
中国科学院微电子研究所

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著录项信息

专利名称	一种SRAM单元结构、SRAM存储器以及上电初始化方法
申请号	CN202110114508.4	申请日期	2021-01-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-14	公开/公告号	CN112802509A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C5/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C5/00 包括在G11C 11/00组中的存储器零部件 G11C5/14 电源装置（用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193；一般入G05F，H02J，H02M）〔5，7〕	IPC分类号	G;1;1;C;5;/;1;4;;;G;1;1;C;1;1;/;4;1;3查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	宿晓慧;苏泽鑫;李博;王磊;张学文;罗家俊;韩郑生
代理机构	北京知迪知识产权代理有限公司	代理人	王胜利

摘要

本发明公开一种SRAM单元结构、SRAM存储器以及上电初始化方法，属于半导体领域。以解决由于主从结构的引入增加了较多的晶体管和增加了较多的控制信号，会增大芯片面积，增加功耗的技术问题。所述SRAM单元结构包括存储元，所述存储元包括：第一反相器以及第二反相器；所述第一反相器和所述第二反相器交叉耦合后，形成有两个存储节点。所述SRAM单元结构还包括上电调节电路，所述上电调节电路与至少一个所述存储节点电连接，用于在所述SRAM单元结构上电时，使两个所述存储节点具有不同的固定的上电电位。

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