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基于PMOS管的直流瞬态浪涌电压抑制电路

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201520891442.X
IPC分类号：H02H9/04
申请日期：
2015-11-10
申请人：
中国兵器工业新技术推广研究所;北京中北创新科技发展有限公司

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著录项信息

专利名称	基于PMOS管的直流瞬态浪涌电压抑制电路
申请号	CN201520891442.X	申请日期	2015-11-10
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02H9/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02H 紧急保护电路装置（指示或警报意外工作情况的入G01R，例如G01R 31/00，G08B；沿线测定故障位置入G01R 31/08；紧急保护装置入H01H） H02H9/00 用于限制过电流或过电压而不切断电路的紧急保护电路装置（保护装置与特种机械或设备的结构组合见该机械或设备的有关小类） H02H9/04 对过电压响应的（避雷器入H01C7/12，H01C 8/04，H01G 9/18，H01T）	IPC分类号	H;0;2;H;9;/;0;4查看分类表>
申请人	中国兵器工业新技术推广研究所;北京中北创新科技发展有限公司	申请人地址	北京市海淀区车道沟10号院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国兵器工业新技术推广研究所,北京中北创新科技发展有限公司	当前权利人	中国兵器工业新技术推广研究所,北京中北创新科技发展有限公司
发明人	周成龙;李子森;刘强;郭艳辉;丁永平;王添文;党丽;苏醒;杨宝山
代理机构	中国兵器工业集团公司专利中心	代理人	刘东升

摘要

本实用新型涉及一种基于PMOS管的直流瞬态浪涌电压抑制电路，属于电子设备保护电路领域。本实用新型由三端可调分流基准源和光电耦合器为核心组成采样反馈控制电路，原理简单，易于实现，产品可靠性高，结构紧凑，体积较小，导通内阻低，发热量小，电压降小。

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