加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011502689.X
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336
  • 申请日期:
    2020-12-17
  • 申请人:
    许曙明
著录项信息
专利名称具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管
申请号CN202011502689.X申请日期2020-12-17
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2021-04-06公开/公告号CN112614891A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人许曙明申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人力来托半导体(上海)有限公司当前权利人力来托半导体(上海)有限公司
发明人许曙明
代理机构上海大视知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人蔡沅
摘要
该发明涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件,其包括形成于衬底上表面的外延区域和至少两个形成于外延区域中的体区域。体区域位于靠近外延区域的上表面,且横向彼此间隔。该器件还包括至少两个设置于对应的体区域中且靠近该体区域上表面的位置的源区,以及包括至少两个平面栅和一个沟槽栅的栅极结构。每个平面栅均位于所述的外延区域的上表面,并与相应的体区域的至少一部分重叠。该沟槽栅位于两个所述体区域之间且至少部分位于所述外延区域之中;以及位于衬底背面且与衬底电连接的漏极触点。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供