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一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911030849.2
  • IPC分类号:H01L21/02B82Y40/00
  • 申请日期:
    2019-10-28
  • 申请人:
    北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法
申请号CN201911030849.2申请日期2019-10-28
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-02-04公开/公告号CN110752146A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H01L21/02;B82Y40/00查看分类表>
申请人北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所申请人地址
北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京华进创威电子有限公司,中国科学院半导体研究所当前权利人北京华进创威电子有限公司,中国科学院半导体研究所
发明人王晓亮;李百泉;肖红领
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法,本发明在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法,通过在Si衬底上外延生长一层氮化物复合缓冲层,该氮化物复合缓冲层可以缓解晶格失配,并阻止回熔刻蚀反应。通过在GaN过渡层上生长一组超晶格,该超晶格可以释放部分张应力,并能过滤部分穿透位错。采用该方法可以显著提高GaN外延薄膜材料的晶体质量,消除表面裂纹,得到可用于器件研制应用的GaN外延薄膜材料。

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