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超薄栅极氮氧化硅薄膜的氮含量测量方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210162977.4
  • IPC分类号:H01L21/66
  • 申请日期:
    2012-05-24
  • 申请人:
    上海宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称超薄栅极氮氧化硅薄膜的氮含量测量方法
申请号CN201210162977.4申请日期2012-05-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-12-04公开/公告号CN103426784A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人上海宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人张凌越
代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙)代理人张静洁;徐雯琼
摘要
本发明涉及一种超薄栅极氮氧化硅薄膜的氮含量测量方法,用于对在硅衬底上形成有超薄栅极氮氧化硅薄膜的半导体结构进行测量;所述氮含量测量方法通过对所述半导体结构进行再氧化处理,并根据所述半导体结构在进行再氧化处理之前和之后薄膜的厚度增加量,来计算得到与该厚度增加量相对应的氮氧化硅薄膜中的氮含量。检测结构更为直观,不需要破坏送检的硅片,通过常规的厚度测量工具就可以实现,不需要借助外部昂贵的检测设备,能够节省检测成本,并有效缩短检测时间。

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