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绝缘栅型半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010106301.4
  • IPC分类号:H01L27/06;H01L23/528
  • 申请日期:
    2010-01-29
  • 申请人:
    三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
著录项信息
专利名称绝缘栅型半导体装置
申请号CN201010106301.4申请日期2010-01-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-08-04公开/公告号CN101794779A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/06IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;6;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;8查看分类表>
申请人三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三洋电机株式会社,三洋半导体株式会社当前权利人三洋电机株式会社,三洋半导体株式会社
发明人宫田拓司
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人岳雪兰
摘要
本发明提供一种绝缘栅型半导体装置,在该装置中,由于在栅极焊盘部的下方配置有保护二极管,故不能配置晶体管单元而成为芯片上的无效区域。另外,源极电极层除去栅极焊盘部而配置,在元件区域端部的单元中,存在以自源极焊盘部绕过栅极焊盘部的方式形成有电流路径的区域。本发明的绝缘栅型半导体装置将电极结构设为两层,且与栅极焊盘部不重叠地配置保护二极管。在栅极焊盘部下方可以配置单元及第一层源极电极层,可以减小源极电极层内的电阻的偏差。并且,将保护二极管配置成与元件区域邻接而位于其外侧的芯片端部,且紧靠栅极焊盘部。由此,能够较大地确保可以有效进行晶体管动作的元件区域,并且可以降低配线部下方的第一源极电极层的电阻。

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