一种以二异丙胺卤盐为前体材料的有机-无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610473008.9
IPC分类号：C30B29/54;C30B7/14
申请日期：
2016-06-24
申请人：
哈尔滨工业大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种以二异丙胺卤盐为前体材料的有机-无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法
申请号	CN201610473008.9	申请日期	2016-06-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-09-07	公开/公告号	CN105926040A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/54 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/54 有机化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;5;4;;;C;3;0;B;7;/;1;4查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	宫德维;欧文静;孟庆鑫;周忠祥
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	侯静

摘要

一种以二异丙胺卤盐为前体材料的有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法，涉及一种有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法。本发明为了解决现有技术制备的有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体生长质量差、生长条纹多和残余应力大的问题。制备方法：一、制备钙钛矿晶体的前体材料；二、制备目标籽晶；三、进行晶体静置生长；四、继续进行晶体静置生长；五、重复步骤四至得到目标尺寸的晶体。本发明制备方法可以提高有机‑无机杂化钙钛矿晶体的生长质量，减少生长条纹和残余应力；用于复合半导体微电子开关、发光器件以及光伏器件等光电功能器件的研制中。本发明适用于有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供