形成柔性应力消除缓冲区的半导体器件和方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010559631.9
IPC分类号：--
申请日期：
2010-11-25
申请人：
新科金朋有限公司

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著录项信息

专利名称	形成柔性应力消除缓冲区的半导体器件和方法
申请号	CN201010559631.9	申请日期	2010-11-25
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-01	公开/公告号	CN102082102A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	新科金朋有限公司	申请人地址	新加坡新加坡市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长电集成电路(绍兴)有限公司,新科金朋私人有限公司	当前权利人	长电集成电路(绍兴)有限公司,新科金朋私人有限公司
发明人	林耀剑;沈一权;邹胜源
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	李娜;王洪斌

摘要

本发明涉及形成柔性应力消除缓冲区的半导体器件和方法。半导体器件具有在指定用于凸点形成的位置处安装到暂时衬底的应力消除缓冲区。应力消除缓冲区可以是多层复合材料，诸如第一柔性层、在所述第一柔性层上形成的硅层以及在所述硅层上形成的第二柔性层。半导体管芯也安装到暂时衬底。应力消除缓冲区可以比半导体管芯薄。在半导体管芯和应力消除缓冲区之间沉积密封剂。去除暂时衬底。在半导体管芯、密封剂和应力消除缓冲区上形成互连结构。互连结构电连接到半导体管芯。可以在应力消除缓冲区和密封剂上形成增强板层。可以在应力消除缓冲区内形成包含有源器件、无源器件、导电层和介电层的电路层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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