一种半导体器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911033370.4
IPC分类号：H01L29/417;H01L29/861;H01L29/778;H01L21/28
申请日期：
2019-10-28
申请人：
苏州能讯高能半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体器件及其制备方法
申请号	CN201911033370.4	申请日期	2019-10-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-30	公开/公告号	CN112736136A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/417 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/41 以其形状、相对尺寸或位置为特征的〔6〕 H01L29/417 通有待整流、放大或切换电流的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	苏州能讯高能半导体有限公司	申请人地址	江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州能讯高能半导体有限公司	当前权利人	苏州能讯高能半导体有限公司
发明人	赵树峰
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	孟金喆

摘要

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区，还包括依次设置的衬底、多层半导体层、至少两类电极、介质层和至少一块导电块，至少两类电极、介质层和至少一块导电块均位于有源区内；介质层中形成有电极通孔，电极通孔贯穿介质层，且电极通孔在衬底所在平面上的垂直投影与至少一类电极在衬底所在平面上的垂直投影交叠；位于电极通孔内的通孔导电柱；同一导电块通过通孔导电柱与同一类电极电连接。采用上述技术方案，通过设置电极与导电块位于不同膜层，同时通过通孔导电柱实现导电块与电极的电连接，通过导电块向电极提供信号，保证半导体器件正常工作的同时减小半导体器件的面积，有利于实现半导体器件的小型化设计。

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