一种薄膜晶体管阵列基板、其制造方法及显示装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201410309416.1
IPC分类号：H01L27/12;H01L21/77
申请日期：
2014-06-30
申请人：
上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司

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专利名称	一种薄膜晶体管阵列基板、其制造方法及显示装置
申请号	CN201410309416.1	申请日期	2014-06-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-24	公开/公告号	CN104064568A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;7查看分类表>
申请人	上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司	申请人地址	上海市浦东新区汇庆路889号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海天马微电子有限公司,天马微电子股份有限公司	当前权利人	上海天马微电子有限公司,天马微电子股份有限公司
发明人	翟应腾;吴勇
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	孟金喆

摘要

本发明描述一种薄膜晶体管阵列基板、其制造方法及包括该薄膜晶体管阵列基板的显示装置。所述薄膜晶体管阵列基板包括：基板；设置在所述基板上的相交且绝缘的多条扫描线和多条数据线，及所述扫描线和所述数据线定义的多个像素单元；设置在所述基板上的第一金属层；设置在所述第一金属层上的绝缘层，所述绝缘层包括多个过孔，所述过孔暴露出部分第一金属层；设置在所述绝缘层上的半导体层，所述半导体层电连接所述第一金属层；设置在所述半导体层上的第二金属层，所述第二金属层电连接所述半导体层。本发明使用半导体作为刻蚀保护层，在干刻时，可以保护在其下面的栅极金属不被刻蚀，就不需要大面积的源漏金属保护栅极金属，提高设计的自由度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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