SRAM单元

发明专利有效专利

申请号：
CN201310222192.6
IPC分类号：G11C11/419
申请日期：
2013-06-05
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	SRAM单元
申请号	CN201310222192.6	申请日期	2013-06-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-12-17	公开/公告号	CN104217753A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/419 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕 G11C11/413 辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5〕 G11C11/417 用于场效应型存储单元的〔5〕 G11C11/419 读写〔R-W〕电路〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;9查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	陈金明
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华

摘要

一种SRAM单元，包括具有交叉耦接形成的第一、第二存储节点的第一反相器和第二反相器，第一、第二传输晶体管的栅极与第一字线电连接，第三、第四传输晶体管的栅极与第二字线电连接，第五、第六传输晶体管的栅极与第三字线电连接；第一、第二传输晶体管的源极分别电连接第一位线、第二位线；第三、第四传输晶体管的源极分别电连接第三位线、第四位线；第五、第六传输晶体管的源极分别电连接第五位线、第六位线。第一、第三和第五传输晶体管的漏极与第一存储节点电连接，第二、第四和第六传输晶体管的漏极与第二存储节点电连接。这大大提高了SRAM的读写速率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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