取向诱导生长的硒化锑薄膜及其制备方法与薄膜太阳电池

发明专利有效专利

申请号：
CN202110332393.6
IPC分类号：C23C14/06;C23C14/24;C23C14/58;H01L31/032;H01L31/036;H01L31/0392;H01L31/072
申请日期：
2021-03-29
申请人：
深圳大学

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专利名称	取向诱导生长的硒化锑薄膜及其制备方法与薄膜太阳电池
申请号	CN202110332393.6	申请日期	2021-03-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-09	公开/公告号	CN113088882A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/06 以镀层材料为特征的（C23C 14/04优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;2;4;;;C;2;3;C;1;4;/;5;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;9;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;2查看分类表>
申请人	深圳大学	申请人地址	广东省深圳市南山区南海大道3688号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳大学	当前权利人	深圳大学
发明人	梁广兴;陈国杰;林锦鸿;陈烁;郑壮豪
代理机构	深圳市君胜知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	朱阳波;吴志益

摘要

本发明公开了一种取向诱导生长的硒化锑薄膜及其制备方法与薄膜太阳电池，包括：将硒化锑和衬底放置于空间升华炉内，通过近空间升华法在所述衬底上沉积硒化锑，得到硒化锑前驱膜；将硒源和所述硒化锑前驱膜放置于双温区管式炉中，通过硒源对所述硒化锑前驱膜进行硒化退火，得到沉积于所述衬底上的硒化锑薄膜。本发明通过具有择优取向的硒化锑前驱膜取向诱导生长制备硒化锑薄膜，制备出的硒化锑薄膜为具有择优取向大晶粒生长的薄膜，将该硒化锑薄膜应用于硒化锑薄膜太阳电池，可以克服现有强各异性硒化锑薄膜导致的载流子产生及传输受限问题，减少硒化锑薄膜太阳电池开路电压亏损，提高硒化锑薄膜太阳电池效率。

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