RF磁控溅射制备单晶透明ZnO薄膜的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010186969.4
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/08
申请日期：
2010-05-26
申请人：
广东志成冠军集团有限公司

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专利名称	RF磁控溅射制备单晶透明ZnO薄膜的方法
申请号	CN201010186969.4	申请日期	2010-05-26
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-09-29	公开/公告号	CN101845615A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8查看分类表>
申请人	广东志成冠军集团有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东志成冠军集团有限公司,华中科技大学	当前权利人	广东志成冠军集团有限公司,华中科技大学
发明人	曾祥斌;杨艳艳;王小锦;李青;李民英;陈宇
代理机构	北京连城创新知识产权代理有限公司	代理人	刘伍堂

摘要

本发明涉及一种高结晶性ZnO薄膜的制备工艺。其主要工艺步骤为：(1)制备ZnO陶瓷靶材；(2)清洗玻璃衬底；(3)在玻璃衬底上制备ZnO薄膜。在本发明中磁控溅射时溅射腔内本底真空度为1.8×10-4Pa，溅射功率统一定为150W，靶材与衬底之间的距离定为10cm，基片温度的范围为450℃～600℃，氩氧比为40∶0～20∶20(sccm∶sccm)，溅射气压为1Pa。本发明所制备的ZnO薄膜透明度好，具有极好的结晶性，晶粒具有很好的c轴取向生长特性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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