具有压电谐振器的压电谐振装置形成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710001135.X
IPC分类号：H03H3/02;H03H9/02;H03H9/15;H01L41/00
申请日期：
2007-01-19
申请人：
株式会社爱思塞拉

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著录项信息

专利名称	具有压电谐振器的压电谐振装置形成方法
申请号	CN200710001135.X	申请日期	2007-01-19
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2008-07-02	公开/公告号	CN101212209
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H3/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H3/00 专用于制造阻抗网络、谐振电路、谐振器的设备或方法 H03H3/007 用于制造机电谐振器或网络〔3〕 H03H3/02 用于制造压电或电致伸缩谐振器或网络（H03H 3/08优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;3;/;0;2;;;H;0;3;H;9;/;0;2;;;H;0;3;H;9;/;1;5;;;H;0;1;L;4;1;/;0;0查看分类表>
申请人	株式会社爱思塞拉	申请人地址	韩国京畿道安山市檀园区木内洞456－4番地变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社爱思塞拉	当前权利人	株式会社爱思塞拉
发明人	崔在亨;金起贤;金周浩;高秀旼
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	郭鸿禧;冯敏

摘要

本发明提供具有压电谐振器的压电谐振装置形成方法。这些形成方法可以从成形体得到所期望厚度的成形基片从而提高压电谐振器的电气性能。形成压电谐振器包含步骤：准备两个成形体；对所述成形体依次进行烧结及抛光工艺而分别形成成形基片；在所述成形基片的对向面及所述对向面的相对面上形成内部基片电极图案及外部基片电极图案；在所述成形基片的对向面上形成粘接剂；切割所述成形基片而形成压电谐振图案；在所述压电谐振图案两侧分别设置连接电极。

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