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平面型肖特基二极管及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310394274.9
  • IPC分类号:H01L29/872;H01L29/40;H01L21/329;H01L21/28
  • 申请日期:
    2013-09-03
  • 申请人:
    宋爱民;李斐
著录项信息
专利名称平面型肖特基二极管及其制作方法
申请号CN201310394274.9申请日期2013-09-03
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-03-18公开/公告号CN104425629A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/872
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;7;2;;;H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人宋爱民;李斐申请人地址
山东省济南市高新区新泺大街1166号奥盛大厦3号楼二十层2007间 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人济南嘉源电子有限公司当前权利人济南嘉源电子有限公司
发明人宋爱民;李斐
代理机构济南泉城专利商标事务所代理人褚庆森
摘要
本发明的平面型肖特基二极管,包括基底,基底的上表面为半导体薄膜,半导体薄膜的上表面上固定有左半第一金属层和右半第一金属层,左半第一金属层、右半第一金属层的上表面上分别固定有左半第二金属层和右半第二金属层;左半第二金属层和右半第二金属层中两者之一与半导体薄膜相接触。本发明的肖特基二极管的制作方法包括:a).清理基底;b).生长或淀积半导体薄膜;c).制备绝缘体块;d).制备第一金属层;e).制备第二金属层;f).溶解绝缘体块;g).设置电极。本发明的平面型肖特基二极管及制作方法,形成了的平面型肖特基二极管,可在高频条件下工作,可应用在以纸张、塑料为基底的场合,并可随基底进行弯曲。

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