一种具有布拉格反射层结构的氮化镓基发光元件

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201821922720.3
IPC分类号：H01L33/10;H01L33/36;H01S5/028;H01S5/042
申请日期：
2018-11-21
申请人：
江西兆驰半导体有限公司

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专利名称	一种具有布拉格反射层结构的氮化镓基发光元件
申请号	CN201821922720.3	申请日期	2018-11-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/10 具有一个光反射结构，例如半导体布拉格反射镜〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;1;0;;;H;0;1;L;3;3;/;3;6;;;H;0;1;S;5;/;0;2;8;;;H;0;1;S;5;/;0;4;2查看分类表>
申请人	江西兆驰半导体有限公司	申请人地址	江西省南昌市南昌高新技术产业开发区高新二路18号创业大厦503、515室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江西兆驰半导体有限公司	当前权利人	江西兆驰半导体有限公司
发明人	顾伟
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型公开了一种具有布拉格反射层结构的氮化镓基发光元件，包括依次沉积在衬底上的缓冲层、底部布拉格反射层、微腔结构和顶部布拉格反射层；其中：所述底部布拉格反射层和顶部布拉格反射层中至少有一个为氧化锌（ZnO）层和氮化镓（GaN）层以交互堆叠的方式组成的周期结构。本实用新型的优点在于：采用ZnO层和GaN层以交互堆叠的方式组成的周期结构，一方面，ZnO与GaN的晶格失配度（1.9%）比氮化铝（AlN）和GaN晶格的失配度（2.5%）小，从而可以生长出低缺陷密度、高质量的ZnO/GaN结构的布拉格反射层；另一方面，ZnO和GaN的折射率对比度（8.6%，420nm）比AlN和GaN的折射率对比度（6%，420nm）要高，使得相对更少的ZnO/GaN周期数可以实现高反射率的布拉格反射层结构。

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