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3轴磁传感器、全方位磁传感器及使用它们的方位测定方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN01102972.2
  • IPC分类号:G01V3/40;G01R33/02;G01C17/28;G01C17/38
  • 申请日期:
    2001-02-07
  • 申请人:
    AP第一体系有限公司
著录项信息
专利名称3轴磁传感器、全方位磁传感器及使用它们的方位测定方法
申请号CN01102972.2申请日期2001-02-07
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2002-05-15公开/公告号CN1349109
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01V3/40IPC分类号G;0;1;V;3;/;4;0;;;G;0;1;R;3;3;/;0;2;;;G;0;1;C;1;7;/;2;8;;;G;0;1;C;1;7;/;3;8查看分类表>
申请人AP第一体系有限公司申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人阿莫善斯有限公司当前权利人阿莫善斯有限公司
发明人田村泰弘
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人臧霁晨
摘要
提供一种混合型磁传感器200,其包括以基片为本体形成的、检测与基片平行平面所规定磁场矢量的2轴分量的磁通门式传感器100,检测磁场矢量的与基片垂直方向分量的霍尔元件24,检测基片横摇角的倾斜传感器22及CPU20,构成为一体为混合型IC。测出的3维磁场矢量是考虑了基片的倾斜进行修正的,所以能算出地磁场的正确方位。装入手机,即使因使用者的姿势或携带方式变化使该地磁传感器发生倾斜时,也能正确测定方位。

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