一种基于双极型半导体的光控人工突触及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910791348.X
IPC分类号：H01L31/11;H01L31/18;C09K9/02;H01L31/0256
申请日期：
2019-08-26
申请人：
深圳大学

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专利名称	一种基于双极型半导体的光控人工突触及其制备方法
申请号	CN201910791348.X	申请日期	2019-08-26
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-01-14	公开/公告号	CN110690318A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/11 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/11 以两个势垒或面垒为特征的，如双极光晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;1;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;C;0;9;K;9;/;0;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;5;6查看分类表>
申请人	深圳大学	申请人地址	广东省深圳市南山区南海大道3688号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳大学	当前权利人	深圳大学
发明人	周晔;任意;韩素婷
代理机构	深圳市君胜知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王永文;刘文求

摘要

本发明公开了一种基于双极型半导体的光控人工突触及其制备方法，所述基于双极型半导体的光控人工突触包括：半导体层；所述半导体层包括：光致变色化合物和双极型聚合物；其中，所述双极型聚合物的HOMO能级位于开环的光致变色化合物的HOMO能级和闭环的光致变色化合物的HOMO能级之间。通过施加不同波段的光实现了半导体沟道的重构，进而可以实现在相同电压极性下和相同光照波段下沟道导电性的增强或抑制，本发明采用光来重构人工突触，降低了电子突触的能耗，提高了稳定性和重复性，另外，电学端口的缩减有利于操作复杂程度的降低，较好的柔性性能也能实现器件的高机械性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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