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半导体装置的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010291923.9
IPC分类号：H01L51/05
申请日期：
2010-09-21
申请人：
索尼公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置的制造方法
申请号	CN201010291923.9	申请日期	2010-09-21
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-04-27	公开/公告号	CN102034930A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/05 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备（由在一个公共衬底中或其上形成的多个组件组成的器件入H01L 27/28；使用有机材料的热电器件入H01L 35/00，H01L 37/00；使用有机材料的压电、电致伸缩或磁致伸缩元件入H01L 41/00）〔6，8〕 H01L51/05 专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;0;5查看分类表>
申请人	索尼公司	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索尼公司	当前权利人	索尼公司
发明人	野元章裕;小野秀树
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	余刚;吴孟秋

摘要

本发明提供了半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：在基板上形成有机半导体层；在有机半导体层上形成保护图案；以及使用保护图案作为掩模、通过使有机半导体层溶解在有机溶剂中或使其升华，而将该有机半导体层图案化。

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